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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 106 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 28 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 66 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 70 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 175 mg
